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Diese Europäische Norm legt ein Verfahren zur Bestimmung der Gehalte der Spurenelemente Al, Ca, Cr, Cu, Fe, Mg, Ni, Ti, V und Zr in pulver- und kornförmigem Siliciumcarbid fest.

Das festgelegte Prüfverfahren gilt in Abhängigkeit von Element, Wellenlänge, Plasmabedingungen und Einwaage für Massenanteile der o. g. Spurenverunreinigungen von etwa 0,1 mg/kg bis etwa 1 000 mg/kg, nach Prüfung auch von 0,001 mg/kg bis etwa 5 000 mg/kg.

ANMERKUNG 1 In der Regel gilt für die optische Emissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (en: inductively coupled plasma optical emission spectrometry, ICP OES) und elektrothermischer Verdampfung (en: electrothermal vaporization, ETV) ein linearer Arbeitsbereich von bis zu vier Größenordnungen. Dieser Bereich kann für die einzelnen Elemente durch Änderung der Einwaage oder durch die Auswahl verschieden empfindlicher Linien erweitert werden.

Nach entsprechender Prüfung ist die Norm auch auf weitere metallische Elemente (mit Ausnahme von Rb und Cs) und einige nichtmetallische Verunreinigungen (wie z. B. P und S) und andere artverwandte nichtmetallische pulver- und kornförmige Werkstoffe, wie z. B. Carbide, Nitride, Graphit, Ruß, Koks, Kohle, sowie eine Reihe weiterer oxidischer Werkstoffe anwendbar (siehe [1], [4], [5], [6], [7], [8], [9] und [10]).

ANMERKUNG 2 Es liegen positive Erfahrungen zu Werkstoffen, wie z. B. Graphit, B4C, Si3N4, BN und verschiedenen Metalloxiden sowie zur Bestimmung von P und S in einigen dieser Werkstoffe vor.