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In diesem Teil der IEC 60749 sind für integrierte Schaltungen sowohl die I-Prüfbeanspruchung als auch die Überspannungs-Prüfbeanspruchung bezüglich des Latch-up-Prüfverfahrens beschrieben.

Dieses Prüfverfahren ist als zerstörend zu betrachten.

Der Zweck dieses Prüfverfahrens ist es, für integrierte Schaltungen (IC, en: integrated circuits) einerseits ein Verfahren zum Ermitteln der Latch-up-Kenngrößen und andererseits Latch-up-Fehlerkritierien festzulegen. Latch-up-Kenngrößen werden sowohl zur Bestimmung der Produktzuverlässigkeit als auch der Minimierung von NTF- und EOS-Fehlern (NTF, en: no trouble found; EOS, en: electrical overstress) infolge von Latch-up- Vorgängen verwendet.

Dieses Prüfverfahren ist vorrangig bei CMOS-Bauelementen anwendbar. Die Anwendbarkeit für andere Technologien ist gesondert festzulegen. Die Klassifikation der Latch-up-Beanspruchung als eine Funktion der Temperatur ist in 3.1 definiert und die Fehler- sowie Ausfallkriterien (Prüfgrade) sind in 3.2 festgelegt.