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La presente norma internazionale fa parte della serie IEC 60749 e descrive una procedura di prova per valutare gli effetti delle radiazioni ionizzanti (dose totale) su semiconduttori liberi e su semiconduttori appartenenti a circuiti integrati.
La radiazione ionizzante si ottiene da una sorgente di raggi gamma al Cobalto-60.
La norma descrive anche una prova supplementare di riscaldamento accelerato (ricottura) per valutare l'effetto sugli apparati delle radiazioni ionizzanti a bassa dose.
La prova di riscaldamento accelerato è importante per le applicazioni in cui gli apparati possono avere effetti dipendenti dal tempo.
La norma è indirizzata ad applicazioni militari e spaziali.
La prova descritta nella Norma presente è di tipo distruttivo , in quanto può provocare il degrado delle proprietà negli apparati sottoposti ad irradiazione.
Questa Norma viene pubblicata dal CEI nella sola lingua inglese, a causa della limitata utilizzazione, particolarmente mirata a settori specialistici.
La presente Norma recepisce il testo originale inglese della Pubblicazione IEC e pertanto consta delle sole pagine dispari.
La presente Norma sostituisce in parte la CEI EN 60749:2000-10 (CEI 47-12)
fasc. 5845E.