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In diesem Teil der IEC 60749 ist ein Standardverfahren festgelegt, um Halbleiterbauelemente hinsichtlich deren Empfindlichkeit auf Beschädigungen oder Degradationen (Leistungsminderungen) zu prüfen und zu klassifizieren, wenn diese Bauelemente mit einer elektrostatischen Entladung (ESD; en: electrostatic discharge) nach dem festgelegten Maschinen-Modell (MM) beansprucht werden. Dieses Verfahren darf alternativ zum ESD-Prüfverfahren nach dem Human-Body-Modell verwendet werden. Ziel ist es, zuverlässige und wiederholbare ESD-Prüfergebnisse für eine korrekte Klassifizierung zu erhalten.

Dieses Prüfverfahren kann bei allen Halbleiterbauelementen angewandt werden und ist als zerstörend eingestuft.

Die ESD-Prüfbeanspruchungen für Halbleiterbauelemente müssen entsprechend diesem Prüfverfahren oder dem Human-Body-Modell (HBM; siehe IEC 60749-26) oder anderen in der Reihe IEC 60749 festgelegten ESD-Prüfverfahren gewählt werden. Sowohl das MM- als auch das HBM-Prüfverfahren liefern ähnliche, aber keine identischen Prüfergebnisse. Falls nicht anders festgelegt, ist das HBM-Prüfverfahren zu verwenden.

ANMERKUNG 1 In diesem Prüfverfahren wird die Entladung von realen Maschinen oder metallischen Werkzeugen nicht genau simuliert, weil bei dem Prüfverfahren hohe parasitäre Induktanzen in der Prüfschaltung verwendet werden, während bei realen Maschinen und metallischen Werkzeugen keine Induktanzen vorhanden sind und hier die Anstiegszeit der Entladekurve ungefähr 100 ps beträgt.

ANMERKUNG 2 Bestimmte Abschnitte dieses Prüfverfahrens entsprechen denen von IEC 61340-3-2.