DIN EN 62047-16

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods (IEC 62047-16:2015); German version EN 62047-16:2015

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Organization: DIN
Publication Date: 1 December 2015
Status: active
Page Count: 13
ICS Code (Electromechanical components in general): 31.220.01
ICS Code (Semiconductor devices in general): 31.080.01
scope:

In diesem Teil der IEC 62047 sind die Prüfverfahren zum Messen der Eigenspannungen dünner Schichten mit Dicken im Bereich von 0,01 μm bis 10 μm in MEMS-Strukturen auf Basis der Waferkrümmung (Substratkrümmung) oder des Biegebalkens (Cantilever) festgelegt. Die Schichten sollten auf einem Substrat mit bekannten mechanischen Eigenschaften von Elastizitätsmodul (Young-Modul) und Querkontraktionszahl (Poissonzahl) abgeschieden werden. Diese Verfahren werden angewendet, um die Eigenspannungen innerhalb von Dünnschichten auf Substrat zu bestimmen [1]1)

1) Ziffern in eckigen Klammern verweisen auf die Literaturhinweise.

Document History

DIN EN 62047-16
December 1, 2015
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods (IEC 62047-16:2015); German version EN 62047-16:2015
In diesem Teil der IEC 62047 sind die Prüfverfahren zum Messen der Eigenspannungen dünner Schichten mit Dicken im Bereich von 0,01 μm bis 10 μm in MEMS-Strukturen auf Basis der Waferkrümmung...
November 1, 2012
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods (IEC 47F/125/CD:2012)
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