DIN EN 62047-16
Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 16: Messverfahren zur Ermittlung der Eigenspannungen in Duennschichten von MEMS-Bauteilen - Substratkruemmungs- und Biegebalken-Verfahren (IEC 62047-16:2015); Deutsche Fassung EN 62047-16:2015
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| Organization: | DIN |
| Publication Date: | 1 December 2015 |
| Status: | active |
| Page Count: | 13 |
| ICS Code (Electromechanical components in general): | 31.220.01 |
| ICS Code (Semiconductor devices in general): | 31.080.01 |
scope:
In diesem Teil der IEC 62047 sind die Prüfverfahren zum Messen
der Eigenspannungen dünner Schichten mit Dicken im Bereich von 0,01
μm bis 10 μm in MEMS-Strukturen auf Basis der Waferkrümmung
(Substratkrümmung) oder des Biegebalkens (Cantilever) festgelegt.
Die Schichten sollten auf einem Substrat mit bekannten mechanischen
Eigenschaften von Elastizitätsmodul (Young-Modul) und
Querkontraktionszahl
1) Ziffern in eckigen Klammern verweisen auf die Literaturhinweise.
Document History
DIN EN 62047-16
December 1, 2015
Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 16: Messverfahren zur Ermittlung der Eigenspannungen in Duennschichten von MEMS-Bauteilen - Substratkruemmungs- und Biegebalken-Verfahren (IEC 62047-16:2015); Deutsche Fassung EN 62047-16:2015
In diesem Teil der IEC 62047 sind die Prüfverfahren zum Messen der Eigenspannungen dünner Schichten mit Dicken im Bereich von 0,01 μm bis 10 μm in MEMS-Strukturen auf Basis der Waferkrümmung...
November 1, 2012
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods (IEC 47F/125/CD:2012)
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