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DIN EN 62047-17

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 17: Bulge test method for measuring mechanical properties of thin films (IEC 62047-17:2015); German version EN 62047-17:2015

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Organization: DIN
Publication Date: 1 December 2015
Status: active
Page Count: 28
ICS Code (Electromechanical components in general): 31.220.01
ICS Code (Semiconductor devices in general): 31.080.01
scope:

In diesem Teil der IEC 62047 ist das Verfahren für die Durchführung von Wölbungsprüfungen (Bulge-/Tiefen- Prüfungen) an einer freistehenden Schicht, die innerhalb eines Fensters gewölbt wird, festgelegt. Die Mikroprobe wird aus Mikro-/Nano-Schichtwerkstoffen hergestellt, welche Metall-, Keramik- oder Polymerschichten für MEMS-, Mikrosystem- oder andere Bauteile einschließen. Die Dicke der Schicht liegt im Bereich von 0,1 μm bis 10 μm und die Breite des rechtwinkligen oder quadratischen Membranfensters bzw. der Durchmesser der kreisförmigen Membran liegt im Bereich von 0,5 mm bis 4 mm.

Die Prüfbeanspruchungen werden bei Raumtemperatur unter Verwendung einer gleichförmig verteilten Druckbeanspruchung auf die zu prüfende Schicht-Probe innerhalb des Wölbungsfensters ausgeübt.

Mithilfe dieses Verfahrens können das Elastizitätsmodul und die Eigenspannung der Schicht-Werkstoffe bestimmt werden.

 

Document History

DIN EN 62047-17
December 1, 2015
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 17: Bulge test method for measuring mechanical properties of thin films (IEC 62047-17:2015); German version EN 62047-17:2015
In diesem Teil der IEC 62047 ist das Verfahren für die Durchführung von Wölbungsprüfungen (Bulge-/Tiefen- Prüfungen) an einer freistehenden Schicht, die innerhalb eines Fensters gewölbt wird,...
June 1, 2011
Semiconductor devices - Micro- electromechanical devices - Part 17: Bulge test method for measuring mechanical properties of thin film (IEC 47F/78/CD:2011)
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References

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