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DIN EN 62047-18

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 18: Bending test methods of thin film materials (IEC 47F/76/CD:2011)

inactive
Organization: DIN
Publication Date: 1 June 2011
Status: inactive
Page Count: 20
ICS Code (Electromechanical components in general): 31.220.01
ICS Code (Semiconductor devices in general): 31.080.01
scope:

Dieses Dokument legt das Prüfverfahren zur Biegebeanspruchung von Dünnschicht-Werkstoffen mit Längen und Breiten von jeweils kleiner 1 mm und einer Dicke im Bereich zwischen 0,1 μm und 10 μm fest. Dünnschicht- Werkstoffe werden als Hauptbestandteil von MEMS-Bauteilen und Mikromaschinen verwendet.

Die Hauptbestandteile von MEMS-Bauteilen, Mikromaschinen usw. haben bestimmte Eigenschaften wie Abmessungen im Mikrometerbereich, Herstellungsverfahren des Werkstoffs mittels Dampfabscheidung und die Mikroproben werden mithilfe nichtmechanischer Verfahren, einschließlich der Fotolithografie, hergestellt. Dieses Dokument legt für oberflächenpolierten Proben mit Abmessungen im Mikrometerbereich eine Biege- Prüfbeanspruchung fest, die eine Genauigkeit ermöglicht, welche den besonderen Eigenschaften entspricht.

Document History

April 1, 2014
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 18: Bend testing methods of thin film materials (IEC 62047-18:2013); German version EN 62047-18:2013
Der vorliegende Teil von IEC 62047 legt das Biegeprüfverfahren für Dünnschichtwerkstoffe mit einer Länge und einer Breite von jeweils unter 1 mm und einer Dicke im Bereich von 0,1 μm bis 10 μm fest....
DIN EN 62047-18
June 1, 2011
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 18: Bending test methods of thin film materials (IEC 47F/76/CD:2011)
Dieses Dokument legt das Prüfverfahren zur Biegebeanspruchung von Dünnschicht-Werkstoffen mit Längen und Breiten von jeweils kleiner 1 mm und einer Dicke im Bereich zwischen 0,1 μm und 10 μm fest....

References

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