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DIN EN 62047-18

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 18: Bend testing methods of thin film materials (IEC 62047-18:2013); German version EN 62047-18:2013

active, Most Current
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Organization: DIN
Publication Date: 1 April 2014
Status: active
Page Count: 15
ICS Code (Electromechanical components in general): 31.220.01
ICS Code (Semiconductor devices in general): 31.080.01
scope:

Der vorliegende Teil von IEC 62047 legt das Biegeprüfverfahren für Dünnschichtwerkstoffe mit einer Länge und einer Breite von jeweils unter 1 mm und einer Dicke im Bereich von 0,1 μm bis 10 μm fest. Dünnschichtwerkstoffe werden als strukturelle Hauptwerkstoffe für mikro-elektromechanische Systeme (im vorliegenden Dokument mit MEMS abgekürzt) und Mikrobauteile verwendet. Die strukturellen Hauptwerkstoffe für MEMS, Mikrobauteile usw. besitzen besondere Eigenschaften wie Maße im Mikrometerbereich, Herstellungsverfahren des Werkstoffs mittels Dampfabscheidung und Fotolithografie und/oder nichtmechanische Bearbeitung von Mikroproben.

Die vorliegende Internationale Norm legt die Biegeprüfung und die Form des Prüflings als oberflächenpolierten cantileverförmigen Prüfling mit Abmessungen im Mikrometerbereich fest, die eine Genauigkeit ermöglicht, welche den besonderen Eigenschaften entspricht.

Document History

DIN EN 62047-18
April 1, 2014
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 18: Bend testing methods of thin film materials (IEC 62047-18:2013); German version EN 62047-18:2013
Der vorliegende Teil von IEC 62047 legt das Biegeprüfverfahren für Dünnschichtwerkstoffe mit einer Länge und einer Breite von jeweils unter 1 mm und einer Dicke im Bereich von 0,1 μm bis 10 μm fest....
June 1, 2011
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 18: Bending test methods of thin film materials (IEC 47F/76/CD:2011)
Dieses Dokument legt das Prüfverfahren zur Biegebeanspruchung von Dünnschicht-Werkstoffen mit Längen und Breiten von jeweils kleiner 1 mm und einer Dicke im Bereich zwischen 0,1 μm und 10 μm fest....

References

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