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DIN EN 62047-9

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS (IEC 62047-9:2011); German version EN 62047-9:2011

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Organization: DIN
Publication Date: 1 March 2012
Status: active
Page Count: 26
ICS Code (Electromechanical components in general): 31.220.01
ICS Code (Semiconductor devices in general): 31.080.01
scope:

Diese Norm legt ein Prüfverfahren zur Bondfestigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen, Bondprozesstypen wie Silizium-Fusions-Bonden (Fusionsbonden), anodisches Silizium-Glas-Bonden (anodisches Bonden) usw. sowie anwendbare Strukturgrößen während des MEMS-Fertigungsprozesses bzw. der Assemblierung fest. Die anwendbare Waferdicke liegt im Bereich von 10 μm bis einige Millimeter.

Document History

DIN EN 62047-9
March 1, 2012
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS (IEC 62047-9:2011); German version EN 62047-9:2011
Diese Norm legt ein Prüfverfahren zur Bondfestigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen, Bondprozesstypen wie Silizium-Fusions-Bonden (Fusionsbonden), anodisches Silizium-Glas-Bonden (anodisches Bonden)...

References

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